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    安川變頻器IGBT模塊CM50YE13-12F

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    CM110YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM110YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱igbt斬波模塊CM300E2U-12H

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  • igbt模塊CM300E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM300E3Y-12E

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    三菱igbt斬波模塊CM200E3U-12E

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  • igbt模塊CM200E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM200E3Y-12E

    三菱igbt斬波模塊CM200E3Y-12E

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  • igbt模塊CM150E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM150E3U-12E

    三菱igbt斬波模塊CM150E3U-12E

    CM150E3U-12E北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM150E3U-12E。型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱igbt斬波模塊CM150E3Y-12E

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    三菱igbt斬波模塊CM100E3U-12E

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    三菱igbt斬波模塊CM75E3U-12E

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    三菱igbt斬波模塊CM75E3Y-12E

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  • igbt模塊CM75E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM50E3U-12E

    三菱igbt斬波模塊CM50E3U-12E

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    三菱igbt斬波模塊CM50E3Y-12E

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    三菱模塊CM400DY-12NF

    CM400DY-12NF北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    IGBT模塊

    CM400DU-12NF北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DU-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱模塊CM400DY-12H

    CM400DY-12H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售三菱IGBT模塊CM400DY-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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